二極管、三極管、場效應管都是半導體器件，在電子電路中擔任著十分重要的作用，現在我來和朋友們聊聊它們之間的聯系和區別吧。場效應管（MOS管）我先說說MOS（場效應管）管，MOS管在半導體基片的兩側也是有兩個PN結。從P型（或者N型）半導體上面引出一個電極并將這個電極連接起來作為MOS管的柵極（G）。然后在基片的兩端再引出兩個電極分別稱為源極（S）和漏極（D）。如下圖所表示的那樣。從圖中我們可以知道，柵極（G）和源極（S）和漏極（D）是不導電的，所以我們給它起個名字就叫絕緣柵型場效應管，這個器件的名字就是這樣的來的。這樣，當把穩壓管接入電路以后，若由于電源電壓發生波動。深圳市凱軒業電子科技有限公司。深圳可控硅管

高壓硅堆的檢測高壓硅堆內部是由多只高壓整流二極管（硅粒）串聯組成，檢測時，可用萬用表的R×10k檔測量其正、反向電阻值。正常的高壓硅堆，其正向電阻值大于200kΩ，反向電阻值為無窮大。若測得其正、反向均有一定電阻值，則說明該高壓硅堆已軟擊穿損壞。變阻二極管的檢測用萬用表R×10k檔測量變阻二極管的正、反向電阻值，正常的高頻變阻二極管的正向電阻值（黑表筆接正極時）為Ω，反向電阻值為無窮大。若測得其正、反向電阻值均很小或均為無窮大，則說明被測變阻二極管已損壞。深圳可控硅管穩壓二極管是很多電路中，低電流供電時使用比較多的方案。信賴之選深圳市凱軒業電子科技有限公司。

7、用萬用表判斷半導體三極管的極性和類型(用指針式萬用表).a;先選量程：R﹡100或R﹡1K檔位.b;判別半導體三極管基極：用萬用表黑表筆固定三極管的某一個電極，紅表筆分別接半導體三極管另外兩各電極，觀察指針偏轉，若兩次的測量阻值都大或是都小，則改腳所接就是基極（兩次阻值都小的為NPN型管，兩次阻值都大的為PNP型管），若兩次測量阻值一大一小，則用黑筆重新固定半導體三極管一個引腳極繼續測量，直到找到基極。c;.判別半導體三極管的c極和e極：確定基極后，對于NPN管，用萬用表兩表筆接三極管另外兩極，交替測量兩次，若兩次測量的結果不相等，則其中測得阻值較小得一次黑筆接的是e極，紅筆接得是c極（若是PNP型管則黑紅表筆所接得電極相反）。d;判別半導體三極管的類型.如果已知某個半導體三極管的基極,可以用紅表筆接基極,黑表筆分別測量其另外兩個電極引腳,如果測得的電阻值很大,則該三極管是NPN型半導體三極管,如果測量的電阻值都很小,則該三極管是PNP型半導體三極管.

外一個標稱為1N4004的二極管，通過實測會發現，它的反向耐壓的數值居然與1N4007相同。說明器件生產商為了減少型號庫存，將同規格的器件按照不同型號來出品。不同型號的1N400X反向擊穿電壓曲線，1N4004,1N4007的反向耐壓曲線是相同有的時候，對于二極管的反向耐壓數值要求精度比較高，向TVS瞬變二極管通常用于***和吸收電路中瞬態高電壓脈沖，用于保護電路。它的擊穿電壓需要能夠比較精確。如果與標稱值有較大的誤差的話，在實際工作中就起不到保護電路的作用了。手邊的TVS二極管，型號為1.5KE100A，數據手冊給定的反向擊穿電壓范圍是：85.5~105V，典型擊穿電壓為95V。下面是實測反向電壓電流曲線，它的擊穿電壓為96V，與標稱值非常接近晶體管設計，就選深圳市凱軒業科技，有想法的可以來電咨詢！

激光二極管的檢測1．阻值測量法拆下激光二極管，用萬用表R×1k或R×10k檔測量其正、反向電阻值。正常時，正向電阻值為20~40kΩ之間，反向電阻值為∞（無窮大）。若測得正向電阻值已超過50kΩ，則說明激光二極管的性能已下降。若測得的正向電阻值大于90kΩ，則說明該二極管已嚴重老化，不能再使用了。2．電流測量法用萬用表測量激光二極管驅動電路中負載電阻兩端的電壓降，再根據歐姆定律估算出流過該管的電流值，當電流超過100mA時，若調節激光功率電位器（見圖4-76），而電流無明顯的變化，則可判斷激光二極管嚴重老化。若電流劇增而失控，則說明激光二極管的光學諧振腔已損壞。深圳市凱軒業科技致力于晶體管產品研發及方案設計，歡迎您的來電！深圳肖特基二極管

部分二極管所具備的電流方向性，通常稱之為“整流”功能。深圳可控硅管

10、半導體二極管的伏安特性：二極管的基本特性是單向導電性（注：硅管的導通電壓為0.6－0.8V；鍺管的導通電壓為0.2－0.3V），而工程分析時通常采用的是0.7V.11、半導體二極管的伏安特性曲線：（通過二極管的電流Ｉ與其兩端電壓Ｕ的關系曲線為二極管的伏安特性曲線。）見圖三.圖三硅和鍺管的伏安特性曲線12、半導體二極管的好壞判別:用萬用表(指針表)R﹡100或R﹡1K檔測量二極管的正,反向電阻要求在1K左右,反向電阻應在100K以上.總之,正向電阻越小,越好.反向電阻越大越好.若正向電阻無窮大,說明二極管內部斷路,若反向電阻為零,表明二極管以擊穿,內部斷開或擊穿的二極管均不能使用。深圳可控硅管