正性光刻膠（如 YK-300）
應用場景：用于芯片的精細圖案化，如集成電路（IC）、分立器件（二極管、三極管）的制造。
特點：高分辨率（可達亞微米級），適用于多層光刻工藝，確保芯片電路的高精度與可靠性。 負性光刻膠（如 JT-1000）
應用場景：用于功率半導體（如 MOSFET、IGBT）的制造，以及傳感器（如 MEMS）的微結構成型。
特點：抗蝕刻能力強，適合復雜圖形的轉移，尤其在深寬比要求較高的工藝中表現優異。 納米壓印光刻膠（JT-2000）
應用場景：第三代半導體（GaN、SiC）芯片、量子點器件及微流控芯片的制造。特點：耐高溫（250℃）、耐酸堿，支持納米級精度圖案復制，降低芯片的制造成本。 挑戰與未來展望的發展。云南3微米光刻膠生產廠家

 晶圓制造（前道工藝）

? 功能：在硅片表面形成高精度電路圖形，是光刻工藝的主要材料。
? 細分場景：
? 邏輯/存儲芯片：用于28nm及以上成熟制程的KrF光刻膠（分辨率0.25-1μm）、14nm以下先進制程的ArF浸沒式光刻膠（分辨率≤45nm），以及極紫外（EUV）光刻膠（目標7nm以下，研發中）。
? 功率半導體（如IGBT）：使用厚膜光刻膠（膜厚5-50μm），滿足深溝槽刻蝕需求。
? MEMS傳感器：通過高深寬比光刻膠（如SU-8）實現微米級結構（如加速度計、陀螺儀的懸臂梁）。
 芯片封裝（后道工藝）
? 先進封裝技術：
? Flip Chip（倒裝芯片）：用光刻膠形成凸點（Bump）下的 Redistribution Layer（RDL），線寬精度要求≤10μm。
? 2.5D/3D封裝：在硅通孔（TSV）工藝中，光刻膠用于定義通孔開口（直徑5-50μm）。
云南3微米光刻膠生產廠家聚焦封裝需求，吉田公司提供從光刻膠到配套材料的一姑式服務。

 光伏電池（半導體級延伸）

? HJT/TOPCon電池：在硅片表面圖形化金屬電極，使用高靈敏度光刻膠（曝光能量≤50mJ/cm?），線寬≤20μm，降低遮光損失。
? 鈣鈦礦電池：用于電極圖案化和層間隔離，需耐有機溶劑（適應溶液涂布工藝）。
 納米壓印技術（下一代光刻）
? 納米壓印光刻膠：通過模具壓印實現10nm級分辨率，用于3D NAND存儲孔陣列（直徑≤20nm）、量子點顯示陣列等。
 微流控與生物**
? 微流控芯片：制造微米級流道（寬度10-100μm），材料需生物相容性（如PDMS基材適配）。
? 生物檢測芯片：通過光刻膠圖案化抗體/抗原固定位點，精度≤5μm。

作為深耕半導體材料領域二十余年的綜合性企業，廣東吉田半導體材料有限公司始終將技術創新與產品質量視為重要發展動力。公司位于東莞松山湖產業集群，依托區域產業鏈優勢，持續為全球客戶提供多元化的半導體材料解決方案。
公司產品涵蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD 光刻膠、半導體錫膏、焊片及靶材等，原材料均嚴格選用美國、德國、日本等國的質量進口材料。通過全自動化生產設備與精細化工藝控制，確保每批次產品的穩定性與一致性。例如，納米壓印光刻膠采用特殊配方，可耐受 250℃高溫及復雜化學環境，適用于高精度納米結構制造；LCD 光刻膠以高分辨率和穩定性，成為顯示面板行業的推薦材料。

光刻膠的技術挑戰現在就是需要突破難關！

不同光刻膠類型的適用場景對比 類型 波長范圍 分辨率 典型應用產品  G線/i線光刻膠 436/365nm ≥1μm PCB、LCD黑色矩陣 吉田半導體JT-100系列  KrF光刻膠 248nm 0.25-1μm 28nm以上芯片、Mini LED制備 吉田半導體YK-300系列  ArF光刻膠 193nm 45nm-0.25μm 14nm及以上芯片、OLED電極圖案化 國際主流：JSR ARF系列  EUV光刻膠 13.5nm ≤7nm 7nm以下先進制程、3D NAND堆疊 研發中（吉田半導體合作攻關）  水性光刻膠 全波長適配 5-50μm 柔性顯示、環保PCB阻焊層 吉田半導體WT-200系列 
總結：多領域滲透的“工業維生素”
光刻膠的應用深度綁定電子信息產業，從半導體芯片的“納米級雕刻”到PCB的“毫米級線路”，再到顯示面板的“色彩精細控制”，其技術參數（分辨率、耐蝕刻性、靈敏度）需根據場景設計。隨著**新能源（車規芯片、光伏）、新型顯示（Micro LED）、先進制造（納米壓?。?*等領域的發展，光刻膠的應用邊界將持續擴展，成為支撐制造的關鍵材料。 吉田公司以無鹵無鉛配方與低 VOC 工藝打造環保光刻膠。云南3微米光刻膠生產廠家

正性光刻膠生產原料。云南3微米光刻膠生產廠家

關鍵工藝流程
 涂布：
? 在晶圓/基板表面旋涂光刻膠，厚度控制在0.1-5μm（依制程精度調整），需均勻無氣泡（旋涂轉速500-5000rpm）。
 前烘（Soft Bake）：
? 加熱（80-120℃）去除溶劑，固化膠膜，增強附著力（避免顯影時邊緣剝離）。
 曝光：
? 光源匹配：
? G/I線膠：汞燈（適用于≥1μm線寬，如PCB、LCD）。
? DUV膠（248nm/193nm）：KrF/ArF準分子激光（用于28nm-14nm制程，如存儲芯片）。
? EUV膠（13.5nm）：極紫外光源（用于7nm以下制程，需控制納米級缺陷）。
? 曝光能量：需精確控制（如ArF膠約50mJ/cm?），避免過曝或欠曝導致圖案失真。
 顯影：
? 采用堿性溶液（如0.262N四甲基氫氧化銨，TMAH），曝光區域膠膜溶解，未曝光區域保留，形成三維立體圖案。
 后烘（Post-Exposure Bake, PEB）：
? 化學增幅型膠需此步驟，通過加熱（90-130℃）激發光酸催化反應，提高分辨率和耐蝕刻性。 云南3微米光刻膠生產廠家